現(xiàn)代無(wú)線通訊技術(shù)的蓬勃發(fā)展 使射頻收發(fā)機(jī)的設(shè)計(jì)在性能 成本以及功耗上的要求越來(lái)越高 尤其是隨著 CMOS 工藝的特征尺寸進(jìn)入到深亞微米和超深亞微米階段 傳統(tǒng)的壓控振蕩器已無(wú)法滿足射頻收發(fā)機(jī)的高性能要求 而近年來(lái) 數(shù)字射頻的思路已越來(lái)越多的應(yīng)用于無(wú)線通訊領(lǐng)域 它利用了深亞微米 CMOS 工藝下數(shù)字電路相比于模擬電路存在較快的晶體管翻轉(zhuǎn)速度 更精細(xì)的晶體管尺寸控制以及更高的電路集成度等獨(dú)特優(yōu)勢(shì) 采用數(shù)字方法來(lái)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)射頻電路的功能 本文將詳細(xì)介紹應(yīng)用于無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)方法以及其性能上的優(yōu)點(diǎn)

1 全數(shù)控振蕩器的概念所謂數(shù)控振蕩器其實(shí)就是一個(gè)從數(shù)字到頻率的轉(zhuǎn)換器 Digital-To-Frequency Conversion DFC [1]即通過(guò)輸入一組數(shù)字頻率控制字 FCW 來(lái)控制和改變振蕩器的輸出信號(hào)頻率 用數(shù)學(xué)公式表示即為f0=f(FCW) (1)

因?yàn)?/span> LC 諧振回路本身具有帶通濾波的特性 因而技術(shù)上遍及選用數(shù)控 LC 振動(dòng)器 在 DCO 中咱們選用數(shù)控 MOS 變?nèi)莨荜嚵衼?lái)進(jìn)行頻率的調(diào)理 且 DCO 中的 MOS 變?nèi)莨芄ぷ髟陔娙?/span>-電壓曲線上十分平整的兩個(gè)區(qū)域 分別是強(qiáng)反型高電容區(qū)和耗盡型低電容區(qū) 在這兩個(gè)區(qū)域內(nèi) 電容管的電容值隨操控電壓的改變不明顯 因而 對(duì)于疊加在操控電壓上的各種電路噪聲也不敏感 DCO 輸出信號(hào)中的相位噪聲比較低[2]

在 LC 諧振回路中 振動(dòng)信號(hào)的頻率由下式?jīng)Q議

在 DCO 中 我們將總電容分成了 N 份獨(dú)立的數(shù)控變?nèi)莨?/span> 而總電感保持不變 式 2 變成

我們可以得到 DCO 的電路結(jié)構(gòu)圖如圖 1 所示 圖中的 負(fù)阻電路是負(fù)責(zé)補(bǔ)充維持 LC 回路振蕩所需的能量 通常由連接成正反饋形式的有源放大器實(shí)現(xiàn)

2 數(shù)控變?nèi)莨?/span>

DCO 中的數(shù)控變?nèi)莨芤话阌蓛蓚€(gè)連接成差分形式的相同尺寸的PMOS 或 NMOS 管組成 如圖 2 所示 由于 PMOS 處于單獨(dú)的 N 阱中

受襯底噪聲的影響較小 因此工藝上一般采用 PMOS 變?nèi)莨?/span> 根據(jù)數(shù)字控制字 dk 的值

在差分變?nèi)莨艿脑礃O 漏極和襯底上產(chǎn)生相應(yīng)的控制電壓 Vhign 或者 Vlow 使變?nèi)莨芄ぷ髟?/span>

高電容區(qū)或低電容區(qū) 圖中的緩沖器除了用于建立使 MOS 變?nèi)莨芄ぷ髟诟?/span> 低電容區(qū)所

需的控制電壓外 還起到隔離來(lái)自數(shù)字電路的耦合噪聲的作用

實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中 工作在耗盡型低電容區(qū)的變?nèi)莨芎苋菀走M(jìn)入累積區(qū) 而累積區(qū)的

電容值會(huì)升高 為了防止這一現(xiàn)象的發(fā)生 我們可以將 PMOS 變?nèi)莨軐?duì)的襯底接到電源

電壓上 形成反型數(shù)控 PMOS 變?nèi)莨?/span> 這樣在很大范圍內(nèi) Vg 都不會(huì)大于 Vb 管子不會(huì)進(jìn)入累積區(qū)[3]

經(jīng)過(guò)上述分析 可知變?nèi)莨荜嚵兄械碾娙菘梢愿鶕?jù)各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字控制字分別工作

在高電容狀態(tài) Chigh,k 和低電容狀態(tài) Clow,k 高低電容狀態(tài)下的電容差值可表示為

ΔCk=Chigh,k-Clow,k

Ck 就是第 k 個(gè)數(shù)控變?nèi)莨茉跀?shù)字控制字 dk 下的有效變?nèi)葜?/span> 也即

Ck=Clow,k+dk· ΔCk

因此式 3 變成

當(dāng) d0,d1,d2 dn-1 按照二進(jìn)制排列時(shí) 其中最高位的數(shù)字信號(hào) dn-1 控制電容陣列中 Ck 最大的電容 Cn-1,依此類(lèi)推 最低位的信號(hào)d0 控制 Ck 最小的電容 C0 顯然 DCO 的調(diào)頻精度由 C0 決定 對(duì)式 6 中的頻率 f0 以 C 為變量求導(dǎo) 得到

其中 f0 為 DCO 當(dāng)前的振蕩頻率 Ctotal

為諧振回路的總電容值 為了能更精確的調(diào)節(jié)振蕩

頻率 在 DCO 中 人們通過(guò)高速抖動(dòng)數(shù)控 MOS 變?nèi)莨艿姆椒梢缘玫较喈?dāng)于原來(lái)八分之一

的最小有效變?nèi)葜?/span> 這樣 DCO 頻率調(diào)節(jié)的精度就提高了 8 倍[4]

本文由 伯特利技術(shù)文章  整理發(fā)表，文章來(lái)自網(wǎng)絡(luò)僅參考學(xué)習(xí)，本站不承擔(dān)任何法律責(zé)任。

伯特利數(shù)控一直以盡心、盡力、盡意的態(tài)度把握每一臺(tái) 加工中心、鉆攻中心的質(zhì)量

相關(guān)文章可查閱本站：技術(shù)文章 或本文下方 標(biāo)簽 分類(lèi)

相關(guān)產(chǎn)品可查閱本站：產(chǎn)品中心